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  • 导体物理学 第4版

    刘恩科等编1994 年出版372 页ISBN:7118011959

    本书较全面地论述了导体物理的基础知识。全书共13章,主要内容为:导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;导体的表面......

  • 导体物理性能手册 第2卷 上 英文

    (日)足立贞夫主编2014 年出版232 页ISBN:9787560345161

    本册由9章组成,介绍介绍Ⅲ-Ⅴ族 导体化合物,10.纤锌矿型氮化镓,11.立方氮化镓,12.磷化镓(差距),13.砷化镓(砷化镓),14.锑化镓(GaSb),15.氮化铟(酒店),16.磷化铟(InP),17.砷化铟(成),18.锑化铟(InSb),共9种化合物的...

  • 导体物理实验

    李志彬,陈新安主编;倪鹤南副主编2015 年出版116 页ISBN:9787564729073

    导体物理实验是微电子科学工程专业本科生设置的一门专业实验课,目的是培养学生掌握正确的科学实验方法,提高学生的观察分析能力、应用创新能力和实际动手能力。作为一门专业实验课程,学生通过独立完成半导...

  • 导体物理性能手册 第3卷 上 英文

    (日)足立贞夫主编2014 年出版253 页ISBN:9787560345185

    本册由8章组成,介绍10立方硫化镉(c cd),11纤锌矿型硫化镉(wcd),12立方硒化镉(c-CdSe),13纤锌矿硒化镉(w-CdSe),14碲化镉(CdTe),15立方硫化汞(β-HgS),16汞硒化物(HgSe),17碲化汞(HgTe),8种化合物的结构属性、热性能...

  • 导体物理性能手册 第1卷 英文

    SadaoAdachi主编2014 年出版344 页ISBN:9787560345130

    本册由9章组成,介绍Ⅲ—Ⅴ族导体化合物,1.立方氮化硼(c bn),2.六角氮化硼(h bn),3.磷化硼(BP),4.硼砷化物(BAs),5.纤锌矿型氮化铝(w—AlN),6.立方氮化铝(c—AlN),7.磷化铝(A1P),8.铝砷化物(唉),9.铝锑......

  • 聚合物光开关器件物理

    郑传涛,马春生著2015 年出版390 页ISBN:9787312035654

    本书主要阐述了光开关的波导和电极的分析及设计理论,优化设计了一般机构的电光开关、改进结构的电光开关、宽光谱电光开关、波长选择性电光开关、高速电光开关、有机/无机混合波导热开关,同时给出了电光开关...

  • 导体物理性能手册 第3卷 下 2-4 compound semiconductors 英文

    SadaoAdachi主编2014 年出版472 页ISBN:9787560345192

    本册由7章组成,介绍Ⅳ族导体,包括:1.钻石(C),2.硅(Si),3.锗(Ge),4.灰锡,5.立方碳化硅(3c原文如此),6.六角碳化硅(2h—4h—6h碳化硅等),7.菱形的碳化硅(15r—r—21、24r sic等),共7种化合物的结构属性、热性......

  • 光电子器件物理

    卢俊编著2009 年出版357 页ISBN:9787121090097

    本书共六章,第一章沿着一个多世纪光电器件的发展历史,分五个阶段做了评述,第二、三、四、五章对光电器件和光电子技术相关的物理理论作了精选和评述,第六章是实用光电器件原理技术,选择当今最具代表性和发展中...

  • 低维量子器件物理

    彭英才,赵新为,傅广生编著2012 年出版185 页ISBN:9787030338495

    低维量子器件是微纳电子技术研究的核心,低维量子器件物理是现代导体器件物理的一个重组成部分。它的主要研究对象是低维量子器件的设计制作,器件性能载流子输运动力学等内容。本书主要以异质结双极晶体管...

  • 导体物理性能手册 第2卷 下 3-5 compound semiconductors 英文

    SadaoAdachi主编2014 年出版656 页ISBN:9787560345178

    本册由9章组成,介绍1氧化镁(采用),2闪锌矿硫化镁(β-MgS),3闪锌矿硒化镁(β-MgSe),4闪锌矿镁碲化(β-MgTe),5 氧化锌(ZnO),6纤锌矿硫化锌(α-ZnS),7立方闪锌矿(β-ZnS),8硒化锌(ZnSe),9碲化锌(ZnTe),9种化合物的结构属...

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