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碳化硅半导体材料与器件
（美）迈克尔·舒尔著2012 年出版332 页ISBN：9787121177552碳化硅属于第三类半导体材料，即宽禁带半导体研究最广泛的材料之一，也是最早被发现的半导体材料，由于其优越的性能，使其能满足高温、大电流、高频及强辐射环境应用。本书系统介绍了碳化硅半导体材料及器件。前两...
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有机半导体异质结 晶态有机半导体材料与器件
闫东航，王海波，杜宝勋编著2012 年出版322 页ISBN：9787030334343本书是以作者研究组近年来的主要工作为主线，介绍在非晶表面制备大面积的高有序有机半导体薄膜的原理和方法，高迁移率有机半导体的异质结效应和界面电子结构，有机异质结效应对电输运的影响，以及微纳尺度有机晶态...
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强激光对飞行器的毁伤效应
李清源编著2012 年出版428 页ISBN：9787515902784本书结合航天飞行器的结构特点，借助于实验数据与理论模型，研讨材料和结构在激光辐照下的毁伤模式、毁伤机理与毁伤阈值，评估其生存能力与加固技术途径。从工程实用的角度出发，提出了激光辐照实验缩比相似准则—...
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集成电路中的现代半导体器件 影印版 英文版
（美）胡正明著2012 年出版354 页ISBN：9787030326652本书主要介绍与集成电路相关的几种主流半导体器件的基本原理，包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管（BJT），同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。本书作者是美国加州伯克利大学的终身教授、...
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功率半导体器件基础 英文版
（美）B.JayantBaliga著2012 年出版1065 页ISBN：9787030343406本书作者是功率半导体器件领域的著名专家，IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的...
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现代集成电路半导体器件
（美）胡正明著；王燕，张莉，叶佐昌等译2012 年出版260 页ISBN：9787121176623本书系统介绍了现代集成电路中的半导体器件，是一本深入阐述半导体器件的物理机制和工作原理并与实践相结合的教材。本书没有按电子器件、光电子器件、微波器件等通常的分类形式，而是强调了不同半导体器件中的...
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功能材料 超导体的超导电性太其微波特性
史力斌，费英，修晓明著2012 年出版203 页ISBN：9787551701044本书较为系统地阐述了超导体的基础理论、发展前沿以及超导体的微波特性。全书共分4章，第1章介绍了超导体的基本性质。第2章介绍了第二类超导体。第3章介绍了超导薄膜直流输运性质。第4章介绍了微波场中的超...
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压电薄膜材料与器件制备技术
张涛著2012 年出版191 页ISBN：9787561234808本书主要内容分为两个部分。第一部分主要阐述与研究压电薄膜制制备技术，第二部分研究与压电薄膜直接相关的薄膜压电器件制备技术。
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半导体硅材料基础 第2版
尹建华，李志伟主编2012 年出版158 页ISBN：9787122127273本书教较全面讲述了有关硅材料的基本知识。内功包括硅材料的发展史与当前市场的状况；半导体材料的基本性质、晶体结构及其结构缺陷、硅材料的加工。重点讲述了制备高纯多晶硅的三氯氢硅氢还原法等。...