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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
郝跃,张金风,张进成著2013 年出版304 页ISBN:9787030367174本书在第一章引言介绍了III族氮化物电子材料的应用领域、GaN微波功率高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的研究进展以及本书的内容组织,随后的内容可分为材料和器件两大部分。在氮化物电子材料部分(第二章到第八章...
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宽禁带半导体金刚石辐照缺陷的光致发光与光致变色
王凯悦著2018 年出版140 页ISBN:9787030576651本著作采用透射电镜近阀能辐照技术,对IIa型、IIb型、Ia型、Ib型等多种金刚石进行电子辐照以形成孤立的本征缺陷,通过研究光致发光光谱中光学中心的振动光谱、扩散情况,以及应力、杂质、紫外照射对光学中心强度...
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